Ladungstransfer an Heterogrenzfl?chen organischer Halbleiter: Zu einer einheitlichen Beschreibung von Szenarien im ?bergangsbereich zwischen Grundzustand bzw. angeregtem Zustand

In diesem Projektantrag untersuchen wir den Landungstransfer an
Hetero-Grenzfl?chen organischer Halbleiter. Unser Ziel ist das
umfassende Verst?ndnis der elektronischen Prozesse und optischen
Eigenschaften durch die Verwendung komplement?rer
experimenteller Methoden, einschlie?lich Wachstums- und
Strukturstudien, Untersuchung des elektrischen Transportes,
optischer Spektroskopie und die Analyse der elektronischen Struktur.
Auswirkungen des Ladungstranfers ?u?ern sich dabei sowohl im
Grundzustand, als auch nach optischer Anregung. Passende
Materialkombinationen, die den Ladungstransfer über die
gemeinsame Grenzfl?che erlauben, werden identifiziert und die
elektronischen Eigenschaften der resultierenden Grenzfl?che
untersucht. Dabei stehen der Grad des Ladungstransfers, die
Bindungsenergie und die Anisotropie des Ladungstransferzustandes
sowie die Form der Zustandsdichte im Mittelpunkt.