Ladungstransfer an Heterogrenzfl?chen organischer Halbleiter

In diesem Projekt planen wir die Untersuchung des Ladungstransfers an Hetero-Grenzfl?chen organischer Halbleiter. Unser Ziel ist das umfassende Verst?ndnis der elektronischen Prozesse durch die Verwendung komplement?rer, experimenteller Methoden, einschlie?lich Wachstums- und Strukturstudien, Untersuchung des elektrischen Transportes, optischer Spektroskopie und die Analyse der elektronischen Struktur. Grenzfl?chendotierung ist ein viel versprechender Ansatz, um die elektronischen Eigenschaften organischer Halbleiter einzustellen, ohne die Anordnung der Moleküle signifikant zu ver?ndern. Wir beabsichtigen die Beobachtung und Nutzung von Ladungstransfer-Effekten, die im Grundzustand erfolgen. Passende Materialkombinationen, die den Ladungstransfer über die gegenseitige Grenzfl?che erlauben, werden identifiziert und die elektronischen Eigenschaften der resultierenden Grenzfl?che werden untersucht. Mit der systematischen Ver?nderung des Energieunterschieds zwischen den HOMO des Donators und den LUMO des Akzeptors wollen wir die elektronischen Eigenschaften der Grenzfl?chen einstellen.